一、超频工具# ~. {) S7 X; ^) W! J2 L5 |: n& X
/ P; X7 L9 E/ |$ W; r8 g* Q2 JA64Tweaker
; A/ m; {7 o/ W1 S- p& B$ X5 J5 P* L k; n! h
RAS to RAS delay（Trrd） 0 w9 O, V7 y# Q9 R
- o8 S$ q9 V' C/ e! m) l' N G
/ ~# N9 ?. M- R2 }6 q 此参数表示连续的激活指令到
内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面
电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR
内存的读写性能，当2不稳定时才应该设为3。
8 x, R* d* A+ P" E! n$ s& V+ C; t! p4 `. N4 s6 u* \1 {! A
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
% [: A0 \& R% E7 |
建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
G9 h6 Z9 B6 R7 I( @% L- l2 g3 B
+ e( L: L9 \, ?( q5 a; p" hMin RAS Active Timing（Tras）; s6 g) l3 y$ X# F q) m
2 O" T& [. {; K9 r- V/ k5 G1 w, p
这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。
3 ]4 n5 V+ \* I( B# n; Y: }
这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。但如果产生内存错误或
系统不稳定，就必须提高tRAS值了。
+ d+ m9 j3 }3 T- E1 B# _3 W( W
事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。通常设为10后内存能达到最好的超频能力。
# a' H8 z6 A3 V0 S( v# X3 A" p1 [影响：轻微影响带宽和稳定性
, P( e7 ?0 n0 }% V3 C建议设置：00，5-10。
: b! s: ]( e3 |* R) e7 Z1 _: E, e( c1 d- r3 h* E2 ^4 c1 U
Row Precharge Timing（Trp）
}0 }7 ^) k% z, V$ S8 f! | 这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP为4。
/ L+ D% g! J" i5 P' N6 N tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。
% Z7 U4 V- v* ?2 I0 I2 L
影响：主要影响带宽和稳定性
7 f" p: C! [4 H1 I
简直设置：2-4。2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。
! q2 A/ G- [% ^& [$ ~) }
# C. S) U1 l4 H6 NWrite Recovery Time（Twr）" u: l7 i7 [1 ^% ]
7 a9 G2 Z7 I* v/ r tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。
7 v# `8 U( o. \% J3 O影响：轻微影响内存带宽和稳定性
; I+ T6 w( {. b4 ~3 a5 G
建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。
4 I+ A4 d! `: ?
Write to Read Delay（Twtr）
& M9 p. L( Q* y3 N$ u
9 c" T0 \4 z% n8 R6 t2 V- R5 |# k# N
$ ?( o# K, C* d1 V 这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。 1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为2会影响读数据的速度，但但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。
) n7 T4 {2 {7 @; B3 E# u
tWTR表示读到写的延迟。三星把这个参数称之为TCDLR（last data in to read command），JDED规格中把它定为一个时钟周期。
{9 \: S# f6 \. x
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
6 T5 w5 M8 r8 A9 w建议设置：1是最佳性能，超频内存时建议设为2。
: K5 J2 i- H. D! F7 u
; h2 x& s4 z# E
Readto Write Delay（Trtw）
/ s- Y! C( P, U" d6 m tRTW不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。如果想快速的完成读到写的转换，建议设为1个时钟周期。但显然并非所有的内存都能达到这个要求，不稳定时也会出现数据覆盖的错误。
7 q/ m0 C9 A5 w! |影响：轻微影响内存带宽和稳定性
; g4 @/ |3 G$ k4 g2 b& C* I
建议设置：1是最好性能，超频用户建议为4。普通用户在稳定的基础上选用1。
; \% Y0 c6 q% y
/ i" r* y( v- L1 _- L4 n FRefresh Rate（Tref）
( E' _( C5 c! b1 H. ~* Y5 i7 Z) E; }1 k' B& h/ O
这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。
5 e8 H* O) |/ z/ o8 J/ i' v
另外根据早期的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15。6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15。6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。6usX2048行=32ms。
+ F2 |2 t# t% q影响：轻微影响稳定性和内存带宽
; V& A' Z. A# Y( n p2 o建议设置：根据经验，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15。6us和3。9us都能稳定运行，1。95us会降低内存带宽。此外还有很多未知的值（?。?us），大多数用户发现200mhz（?。?us）是一个既稳定性能又好的设置，但也同使用的内存芯片有关。
, E5 b& F+ ]3 F a: \左边的选项说完了，再来说说右边的选项：
0 ?8 T& \% Y* }4 s( s5 S% o
- u0 j b! p8 G% X- `" ]) }
Read Write Queue Bypass
" Q$ p0 w) {! A- _Settings = Auto， 2x， 4x， 8x， 16x。
4 q( I9 T, n$ j' z0 k6 t/ e 此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间，和idle cyblelimit比较类似，但这个参数还会影响内存页面的读/写队列。
2 a% g( W1 X/ k
影响：轻微影响内存带宽，主要影响稳定性。
# y, d- d: Z: r
建议设置：默认的是16x，也是性能最好的参数。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8X甚至更低。
; G- f K% Y( \* C" U6 Q; b( l {
2T Timing
% P2 ]- a7 Q/ L0 s2 O内存时钟选项，分为Disable(1T)、Enable(2T)，跑1T时内存速度发挥到及至，而对内存品质要求更加苛刻，内存不行的话跑1T会导致不稳定、死机甚至蓝屏。奉劝大家如果想稳定的同步超频最好选择2T。
& @2 r" k$ X# h) C5 {
影响：较大影响内存带宽，主要影响稳定性。
9 I$ F) l" v( }5 m
建议设置：不超频选Disable提到性能，超频的话选Enable提高稳定性
% s/ `* L+ M- O/ j8 `% X) n- p( v" \# n1 ]! _% g0 o: D$ A
Bypass Max5 m1 X3 w: F2 i- O) F( I
8 M* Q+ b7 e1 i1 r) a- o- a
此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que?）的迂回时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到
CPU的连接。
K# ?+ F8 D( m" D/ v8 i+ `" l& q影响：轻微影响内存带宽和稳定性
1 i% @5 \" x) p4 W' \9 M, f0 T建议设置：默认参数为7X。建议4X-7X，此时性能不俗稳定性也不差。
/ E; }7 f2 h2 qMax Async Latency
& |2 Q6 Y J) q @ s9 Y4 A. a, v6 N+ B7 s
) j. w! d' C1 A* ~8 D: P' z- K# w& I
目前我还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。
9 i2 @2 n! Z3 b4 q' \* V( q影响：轻微影响带宽和稳定性
5 N1 l/ H# V/ V- W, Q8 X% a9 @- \: b
建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640+就必须设为9ns甚至更高了。
, X+ U+ o5 Y& H3 _
9 N# A/ W# G1 z7 a9 P |
Read Preamble Y2 P4 i0 }; K, W( Q9 H$ m- R
这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDRSGRAM还是从DDR SGRAM都起作用。
. r# ], I) X4 O9 ~* c; d影响：轻微影响内存带宽和稳定性
8 b) F2 u& [3 o( d& @5 E( v9 k建议设置：Auto其实就是5ns，建议值为4-7ns，越低越好。
2 k6 M! ^/ Q/ N0 F$ d T" ?
1 y1 f8 c6 g7 ZIdle Cycle Limit# O) J r. v4 x& W; m$ B8 `4 e
3 N7 c7 \0 N: _0 Q! E: p7 ^ 这个参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重充电的最大时间。
! v' f" M; m* m* u$ q0 d. f影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。
5 w* P1 U0 H7 g8 ^* R8 B8 H/ Q; `' K
建议设置：普通内存建议使用Auto。好内存建议尝试16-32，我的BH-5能稳定运行在16。
& s) K+ F( |* b+ J( @3 `5 k4 W; h
1 D6 D2 Z' n( W- d0 X1 QDynamic ldle Cycle Counter5 A* e F8 b' o" G* O
! [% S( t+ h' S' n
如果开启这个功能，系统迫使每进入一个内存页面之前调节内部周期限制。也就是说这个参数和前一个idle cyclelimit是密切相关的，启用后会屏蔽掉idle cycle limit，并且根据冲突的发生来动态调节。
6 r7 U6 F2 ]8 c
影响：轻微影响内存带宽和稳定性/主要影响内存带宽和稳定性（根据内存芯片）
0 D; s* }9 n! `/ t
建议设置：通常Auto就是Disable了。开启后能提升一点性能，关闭后系统更稳定。有一次我开启后系统就崩溃了，然后我不得不调节其他的参数。
) B$ D% p! d! O/ u
( P3 p& I1 w. m( \3 u0 n& ~
MEMCLK Frequency' J# @* j; A& n) b) S
设置内存运行的频率，这个就根据各位的实际情况来设置了
( ?0 n" ~( `! ?8 k( b+ `4 T/ l
影响：主要影响内存带宽和稳定性
" B L; R# t; ^( M$ v
建议设置：DDR333的内存建议选183*，选这一项的话内存的频率可以根据内存的使用情况在166~183两个频率下自动调节（虽然选200可以获得更高的性能，但不能自动升降频）
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